理工学基盤部門,大塚 岳

大塚 岳

講師

OTSUKA takeshi

理工学基盤部門

研究KEYWORD

界面の発展現象,平均曲率流方程式,反応拡散方程式,粘性解

研究分野 (科研費細目)

数物系科学・数学解析

主要な研究内容

結晶の成長など,物体の形状が変化する様子を偏微分方程式の観点から数学的に捉え,表現する研究を行っている。とくに界面どうしの衝突など特異点の発生しうる現象に興味を持ち,これを表現しうる双安定反応拡散方程式や等高面法による界面の運動方程式の研究を行っている。主な研究課題として結晶のスパイラル成長に見られるスパイラルステップの運動を記述する方程式について研究を行っている。

共同研究に応用できる技術分野 または 共同研究実績

結晶成長, 画像処理, 最適制御問題

主要な所属学会

日本数学会,日本結晶成長学会

近年の論文 または 特許 (3件以内)

  • Growth rate of crystal surface with several dislocation centers(複数のらせん転位による結晶表面の成長速度), to appear in Crystal Growth & Design.
  • Spatial Lipschitz continuity of viscosity solutions to level set equation for evolving spirals by eikonal-curvature flow(駆動力付き曲率流方程式によるスパイラル成長を表す等高線方程式の粘性解の空間変数に関するリプシッツ連続性), Mathematics for Nonlinear Phenomena: Analysis and Computation, Springer Proceedings in Mathematics & Statistics 215(2017), 241-260.
  • A level set approach reflecting sheet structure with single auxiliary function for evolving spirals on Crystal surfaces(結晶表面上のスパイラルステップの成長に対する、結晶格子の構造を反映した単一の補助関数による等高面法アプローチ), Journal of Scientific Computing, 62(2015), 831-874.